N沟道MOS晶体管是一种常见的半导体器件，由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。正常情况下，N沟道MOS管是不导通的，因为它的导通状态是由栅极控制的。当向栅极施加正电压（通常是正电荷）时，它会吸引负离子（电子），从而形成通往源极和漏极的导电路径。
因此，N沟道MOS管的导通条件需要满足以下条件：
1. 栅极正向偏压
在N沟道MOS管中，栅极是控制导电率的主要部分。因此，必须向栅极施加正向偏置电压以吸引负离子并形成导电沟道。如果施加到栅极的电压不足，则无法形成导电路径，管子也无法导通。
2、源漏电压差
当栅极正向偏置时，源极和漏极之间的电压差也非常重要。此时，当对源极施加较高的电压，对漏极施加较低的电压时，即可形成完整的导电沟道。如果电压差不足，则只会在源极或漏极附近形成导电沟道，而不会形成完整的沟道，导致管子不导通。
3.施加到栅极的电压
一般情况下，N沟道MOS晶体管需要施加一定的栅极电压才能导通。但施加的电压不能太高，否则会造成管子损坏。一般来说，栅极电压应小于材料的击穿电压，但也不能太接近。
4、温度对传导的影响
N沟道MOS管运行时，温度也是影响管子导通的因素。在高温下，电子的平均能量增加，这加速了场效应的概率，从而增加了导电通路的概率。因此，通过提高温度可以在一定程度上促进管子的导电。
总之，N沟道MOS晶体管是一种常见的半导体器件，使用时需要满足一定的导通条件。只有满足这些条件，N沟道MOS管才能正常工作，发挥各自的作用。
